Micron presenta la tecnologia DRAM più avanzata al mondo con 1 nodo beta

La tecnologia di processo di ultima generazione è alla base di LPDDR5X, ora in campionamento per l’ecosistema mobile. BOISE, Idaho, 1° novembre 2022 : Micron Technology, Inc. (Nasdaq: MU), ha annunciato oggi la spedizione di campioni di qualificazione...



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  • La tecnologia di processo di ultima generazione è alla base di LPDDR5X, ora in campionamento per l’ecosistema mobile.

BOISE, Idaho, 1° novembre 2022 : Micron Technology, Inc. (Nasdaq: MU), ha annunciato oggi la spedizione di campioni di qualificazione della sua tecnologia DRAM 1β (1-beta) a selezionati produttori di smartphone e partner di chipset e di aver raggiunto la disponibilità alla produzione di massa con il nodo tecnologico DRAM più avanzato al mondo.

L’azienda presenta la tecnologia di processo di nuova generazione per la sua memoria mobile a basso consumo a doppia velocità di trasferimento dati 5X (LPDDR5X) in grado di offrire velocità massime di 8,5 gigabit (Gb) al secondo. Il nodo offre guadagni significativi in termini di prestazioni, densità di bit, efficienza energetica, con vantaggi di mercato di vasta portata.

Oltre alla telefonia mobile, 1β offre DRAM a bassa latenza, basso consumo e alte prestazioni, essenziali per supportare applicazioni altamente reattive, servizi in tempo reale, personalizzazione e contestualizzazione delle esperienze, dai veicoli intelligenti ai data center.

Micron LPDDR5 X front back iso

La process node DRAM più avanzata al mondo, la 1β, rappresenta un avanzamento della leadership di mercato dell’azienda consolidata dall’immissione sul mercato della 1α (1-alpha) nel 2021. Il nodo offre un miglioramento dell’efficienza energetica di circa il 15% e un miglioramento della densità di bit di oltre il 35% con una capacità di 16 Gb per matrice.

Il lancio della nostra DRAM 1-beta segna un ulteriore balzo in avanti nell’innovazione delle memorie, grazie alla nostra litografia proprietaria multi-pattern in combinazione con una tecnologia di processo di ultima generazione e capacità di materiali avanzati”, ha dichiarato Scott DeBoer, vicepresidente esecutivo tecnologia e prodotti di Micron.

“Fornendo la tecnologia DRAM più avanzata al mondo con un numero di bit per wafer di memoria mai raggiunto prima, questo nodo pone le basi per inaugurare una nuova generazione di tecnologie ricche di dati, intelligenti ed efficienti dal punto di vista energetico, dall’edge al cloud”.

Questa pietra miliare segue rapidamente il lancio da parte di Micron della prima NAND a 232 strati al mondo nel mese di luglio, progettata per ottenere prestazioni e densità areale per l’archiviazione senza precedenti. Con questi nuovi primati, Micron continua a dettare il ritmo del mercato per quanto riguarda le innovazioni nel campo della memoria e dell’archiviazione, entrambe rese possibili dalle profonde radici dell’azienda nella ricerca e nello sviluppo all’avanguardia e nella tecnologia dei processi produttivi.

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